사업소개
레이저 어닐링 장비
반도체 레이저 어닐링 장비
Laser annealing for semiconductor
- VisAA는 기존의 어닐링 설비로는 성능을 발휘할 수 없는 최적의 레이저 어닐링 프로세스를 제공합니다.
- 다중 파장 시스템은 어닐링 깊이의 정밀한 제어를 제공하며 CW 레이저를 조사하여 인접 구조에 영향을 주지 않고 어닐링을 수행합니다.
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VisAA / VisMA
다기능 웨이퍼 열처리 시스템
- 정밀 activation 공정 지원 : diffusion-free, 높은 rs 균일성
- 다양한 파장의 레이저를 활용한 열처리 depth 제어
- 단파장, 다파장 동시 조사 기능 제공
- 표면 거칠기 개선
- 다파장에 최적화 된 광학계와 초정밀 스테이지 지원
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적용
- 웨이퍼 이온 임플란트 열처리 공정
- DRAM deep 트렌치 구조상의 void 제거
Main specifications
| Item | Specification | |
|---|---|---|
| System | Semiconductor wafer annealing system by laser beam irradiation | |
| System configuration |
1) Laser & Optics system 2) Stage 3) Heating chuck system 4) Alignment & Monitoring system 5) Operating software |
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| System Size |
Approximated size: 2,440(W) x 1,920(D) x ≤ 2500(H) Approximated weight: 4ton |
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| Available workpiece |
Material : 200mm wafer Thickness : <1mm |
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| Installation Environment | Temp/Humidity |
Temperature control ≤ ±2℃ Humidity control 55% ± 10% |
| Clean room | Class 1000 | |
| Vibration | VC-C | |
| Laser | R-G-B Laser | |
| Optics |
Beam mode : Rectangular flat-top Beam size : >160x100µm² / >800x500µm² Power density : >2x10⁵W/cm² (RGB each) / >8x10³W/cm² (RGB each) |
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| Heating chuck |
Heater Power : 208V, 1,770W Available Temp. : 380 °C (Max : 400 °C) |
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| Stage | X, Y, Z and θ axis | |
| Accuracy | ≤ ±1μm | |
| Software function |
Recipe editor Wafer alignment Leveled user access control Data logging |
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| Alignment | Lens magnification | 2X, 10X |
Process performance
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Dopant activation process
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Void melting process